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J-GLOBAL ID：201602271932930013   整理番号：16A1257133

ポリふっ化ビニリデン膜上に成長させたフレキシブルスピンバルブの巨大磁気抵抗に及ぼす熱変形の影響【Powered by NICT】

Effect of thermal deformation on giant magnetoresistance of flexible spin valves grown on polyvinylidene fluoride membranes

著者 (7件)： Liu Luping (Institute of Materials Science, School of Materials Science and Engineering, Shanghai University) ,  Zhan Qingfeng (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences) ,  Rong Xin (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Huali (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences) ,  Xie Yali (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences) ,  Tan Xiaohua (Institute of Materials Science, School of Materials Science and Engineering, Shanghai University) ,  Li Runwei (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 7  ページ： 077307-1-077307-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリフッ化ビニリデン(PVDF)膜上のフレキシブルなスピンバルブを作製し,巨大磁気抵抗(GMR)挙動に及ぼす基板の熱変形の影響を調べた。大磁歪Fe(81)Ga(19)(FeGa)合金と低磁歪Fe(19)Ni(81)(FeNi)合金は自由層とピン止め強磁性層として選択した。添加では,ピン止め層の交換バイアス(EB)は,PVDFの異なる熱変形軸α(31)またはα(32)に沿って設定した。Si上に成長させた参照スピンバルブのGMR比は本質的に自発磁化の増強のために温度の低下と共に増加した。フレキシブルスピンバルブでは,温度が減少すると,PVDFの異方性熱変形はα(32)方向,磁区の分布を変化させるに沿った一軸異方性を生成する。その結果,EBkα(32)を持つスピンバルブのための低温における巨大磁気抵抗(GMR)比はSiのそれに近くなるが,EBを用いたスピンバルブのためのα(31)Si上のそれから遠く離れている。GMR挙動に及ぼすこの熱効果がより顕著な自由層として磁歪FeGaを用いた。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁歪 ,  低温 ,  強磁性 ,  ケイ素 ,  *熱変形 ,  熱影響 ,  ポリフッ化ビニリデン ,  一軸 ,  ピン止め ,  自発磁化
準シソーラス用語： 交換バイアス ,  自由層 ,  *スピンバルブ ,  *巨大磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 巨大磁気抵抗 ,  柔軟なスピンバルブ ,  熱膨張

分類 (2件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリふっ化ビニリデン膜 ,  成長 ,  スピンバルブ ,  巨大磁気抵抗 ,  熱変形