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J-GLOBAL ID:201702211827959880   整理番号:17A0565957

28nmFDSOIにおける完全合成可能な10.06Gbps16.1mWインジェクションロックCDR

A Fully-Synthesizable 10.06Gbps 16.1mW Injection-Locked CDR in 28nm FDSOI
著者 (6件):
資料名:
巻: E100.C  号:ページ: 259-267(J-STAGE)  発行年: 2017年 
JST資料番号: U0468A  ISSN: 1745-1353  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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有線のチップ間相互接続のための完全デジタル合成可能なPVT耐性クロック・データ・リカバリ(CDR)アーキテクチャを開示した。ここで提案したアーキテクチャにより,CDRとデジタルコアとの共合成を可能にした。それにより,従来のCDR接続形態を作製するさい必要であった労力を浪費するマニュアルレイアウトとインターフェイス作製工程を,排除することができ,設計工程と市場投入までの時間を大幅に短縮することができた。さらに,提案したCDRアーキテクチャは,異なるプロセスノードへの容易な移行を可能にする大部分のサブシステムの再使用可能性を有した。提案したCDRはまた,PVT上の方向性を保証するための自己較正方式をも備えていた。提案した完全に合成可能なCDRを,28nmFDSOIプロセスを利用して試作した。このシステムで,1V電源/16.1mWの電力で,最大データレート10.06Gbpsを実現した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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論理回路  ,  半導体集積回路 
引用文献 (19件):
タイトルに関連する用語 (1件):
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