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J-GLOBAL ID：201702220648278267   整理番号：17A0735140

多孔質シリコン量子ドットの誘導放射:トラップ状態の役割【JST・京大機械翻訳】

Stimulated emission in porous silicon quantum dots:the role of trap states

著者 (9件)： Huang Weiqi (Guizhou University) ,  Zhang Rongtao (Guizhou University) ,  Qin Chaojian (Institute of Geochemistry , Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Shirong (Institute of Geochemistry , Chinese Academy of Sciences) ,  Jin Feng (Guizhou University) ,  Wang Haixu (Guizhou University) ,  Xu Li (Guizhou University) ,  Wu Keyue (Guizhou University) ,  Chen Liang (Guizhou University)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 21  号： 8  ページ： 1161-1164  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： レーザ照射と高温焼なましによりシリコン基板上に酸化ケイ素多孔質構造が生成した。514NMのレーザ励起を用いて、この多孔質シリコンの誘導放射を観測した。励起強度が閾値を超えると,650~750NMの領域で強い励起ピークが発生した。これらの誘導発光ピークの半値全幅は0.5NM以下であった。レーザー照射と高温焼なまし後、サンプル上にいくつかの特殊な酸化構造が形成される。FOURIER変換赤外分光法(FTIR)により,シリコン表面上に硅Yang双Jianまたは硅Yang橋Jianが形成されることを示した。計算結果は以下を示す。硅Yang双Jianまたは硅Yang橋Jianが形成されるとき,電子トラップ状態は納晶硅のバンドギャップに現れる。バンドとトラップ状態の間の粒子数の反転は,この誘導放射を説明するための鍵である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 閾値 ,  高温 ,  酸化 ,  *多孔質シリコン ,  励起 ,  焼なまし ,  赤外分光法 ,  レーザ励起 ,  *量子ドット ,  バンドギャップ ,  レーザ照射 ,  FWHM ,  酸化ケイ素 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： 励起強度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： stimulated emission ,  porous silicon ,  quantum dots ,  trap states

分類 (3件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多孔質シリコン ,  量子ドット ,  トラップ ,  役割