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J-GLOBAL ID：201702243617146568   整理番号：17A0605059

電気機械結合係数k_t²=19%のScAlN厚膜を用いた低周波帯80MHzトランスデューサ

High electromechanical coupling k_t²=19% thick ScAlN piezoelectric films for ultrasonic transducer in low frequency of 80MHz

著者 (4件)： 佐野耕平 (早稲田大 先進理工) ,  唐澤嶺 (早稲田大 先進理工) ,  柳谷隆彦 (早稲田大 先進理工) ,  柳谷隆彦 (JST-さきがけ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 14(US2017 1-13)  ページ： 59-63  発行年： 2017年04月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 20-100MHz帯の超音波は,超音波診断装置と超音波顕微鏡のちょうど間の周波数域に相当し,最適な圧電材料も存在しないことから,これまで空白領域となっていた。しかし,例えば光音響イメージングにおいてこの周波数帯の必要性が高まっている。10-50MHzでは,PVDF高分子膜が使われるが,その電気機械結合係数k_tは0.20と小さい。本報告では,RFマグネトロンスパッタ法において,できる限り膜応力が発生しにくいScAlN膜成長を実現し,43μmの厚膜成長を達成した。これより,80MHz帯の低周波においてk_t²=19%の高い圧電性を持つScAlNトランスデューサを実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： *結合係数 ,  超音波 ,  *薄膜 ,  *超音波変換器 ,  窒化物 ,  アルミニウム化合物 ,  スカンジウム化合物 ,  VHF【周波数】
準シソーラス用語： *圧電薄膜 ,  *電気機械結合係数

分類 (1件)： 音響変換器,その他の機器  (BB03060N)

引用文献 (14件)：

• Eric M. Strohm, Michel J. Moore, and Michel C. Kolios, ”Single Cell Photoacoustic Microscopy: A Review,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron, vol. 22, no. 3, pp.137-151, May-Jun. 2016.
• William D. O’Brien Jr., ”Ultrasound-biophysics mechanisms,” Prog. Biophys. Mol. Biol., vol. 93, no. 1-3,pp.212-255, Aug. 2006.
• 中鉢憲賢,櫛引淳一,”超音波顕微鏡,”計測と制御,vol.20,no.10,pp.954-959,Oct.1981.
• Li. X, Wu. W, Chung. Y, Shih. W. Y, Shih. W. H, Zhou. Q, ”80-MHz Intravascular ultrasound transducer using PMN-PT free-standing film,” IEEE Trans. Ultrason, Ferroelect., Freq Contr, vol.58, no.11, pp. 2281-2288, Nov. 2011.
• R. Nanjo, K. Hashimoto, and T. Yonezawa, ”Ultrasonic properties of PZT thin films in UHF-SHF ranges,” IEICE Tech Rep, vol. 97, no. 150, pp. 39-44, Jul. 1997.

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気機械結合係数 ,  厚膜 ,  低周波 ,  トランスデューサ