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J-GLOBAL ID：201702243940890704   整理番号：17A0703867

電子ビームドリルノッチを用いた個々のInAsナノワイヤの破壊挙動に関する研究【Powered by NICT】

Study on fracture behavior of individual InAs nanowires using an electron-beam-drilled notch

著者 (10件)： Choi Suji (Korea Research Institute of Standards and Science, 267 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon 34113, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Lee Jong Hoon ,  Pin Min Wook ,  Jang Dong Won ,  Hong Seong-Gu ,  Cho Boklae ,  Lee Sang Jun ,  Jeong Jong Seok ,  Yi Seong-Hoon ,  Kim Young Heon
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 27  ページ： 16655-16661  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 個々のInAsナノワイヤ(NW)の機械的性質と破壊挙動を透過型電子顕微鏡における単軸引張荷重下で調べた。InAs NWsは破壊までの引張試験中の弾性変形を示し,実験は閃亜鉛鉱型構造の(111)面上の脆性破壊を明らかにした。集束電子ビームにより形成された,種々の曲率半径を持つ半楕円形切欠きを用いては,ナノメートルスケールでの構造欠陥が破壊挙動を調べた。切欠き寸法はInAs材料系に及ぼす電子ビーム照射の適切な理解で制御される。切欠きサイズに依存して応力集中現象を有限要素法シミュレーションからの結果を解析することによって,InAs NWsで実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 切欠き ,  引張荷重 ,  *電子ビーム ,  応力集中 ,  脆性破壊 ,  機械的性質 ,  引張試験 ,  *ヒ化インジウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  弾性変形 ,  *ナノワイヤ ,  一軸 ,  電子照射
準シソーラス用語： 曲率半径 ,  *破壊挙動 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子ビーム ,  ドリル ,  ノッチ ,  InAs ,  ナノワイヤ ,  破壊挙動 ,  研究