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J-GLOBAL ID:201702261678395914   整理番号:17A0557680

チタンドープZnOナノ薄膜の微細構造と光電特性に及ぼすセラミックターゲット焼結温度の影響

Influence of sintering temperatures of ceramic targets on microstructures and photoelectric properties of titanium-doped ZnO nano-films
著者 (7件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 4654-4660  発行年: 2017年03月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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1100から1500°Cにわたる範囲の焼結温度で調製したターゲットを用いて,TiドープZnO(TZO)薄膜をRFマグネトロンスパッタリングによって調製した。TZOターゲット及び膜の微細構造と光電子特性をX線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),Hall効果分析,紫外可視分光光度計及び物理特性評価システム(PPMS-9)によって評価した。結果から,ターゲット焼結温度は,TZOターゲット及び膜に影響を与えることが示唆された。ZnOは,ターゲットの主な構成物であるが,焼結温度を増加させるとTi/Zn原子比は徐々に減少した。XRDパターンから,全ての膜が,2θ~34°のc軸に沿った(002)優先方位を持つことが分った。膜のTi/Zn原子比は,焼結温度が≧1300°Cの対応するターゲットより高かった。1300-1450°Cで焼結したターゲットをスパッタリングした膜は,他の温度で焼結したものよりも比較的平滑で緻密な表面及びより大きな平均粒子サイズを持っていた。最良の光電子特性は,1300°Cで焼結したターゲットをスパッタリングした膜で得られた。この膜は,高い平均光学透過率(88.9%)と8.47×10-4Ωcmの最も低い抵抗率を持つ優れた結晶性を示した。その上,全ての膜の抵抗率は,10及び350Kの温度範囲で変化し,温度が上昇すると最初は減少し,それから増加した。
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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