文献

J-GLOBAL ID：201702268020028101   整理番号：17A0369693

Cu部位でのAg置換によるBiCuSeOの改良された熱電性能【Powered by NICT】

Improved thermoelectric performance of BiCuSeO by Ag substitution at Cu site

著者 (13件)： Farooq M.U. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Farooq M.U. (Xinjiang Inspection Institute of Special Equipment, Urumqi, 830011, China) ,  Butt Sajid (Department of Materials Science and Engineering, Institute of Space Technology, Islamabad, 44000, Pakistan) ,  Butt Sajid (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Gao Kewei (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Pang Xiao L. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Sun Xigui (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Asfandiyar (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Mohmed Fida (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Ahmad Abid (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Mahmood Asif (Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Mahmood Nasir (Institute of Superconducting and Electronic Materials, Australian Institute of Innovative Materials, University of Wollongong, Squaires Way, North Wollongong, NSW, 2500, Australia) ,  Mahmood Nasir (Center of Micro-Nano Functional Materials and Devices (CMD), School of Energy Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 611731, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 691  ページ： 572-577  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BiCuSeOオキシセレン化物ベース熱電材料は,それらの超低固有熱伝導率(k)と中程度のSeebeck係数(S)のために多くの注目を集めている。しかし,低変換効率は,エネルギー変換システムへの応用を制限している。本論文では,ポリビニルアルコール(PVA)の存在下でCuサイトでBiCuSeOにおける一価Agドーピングの影響を調べた。結果は,AgはCu部位で効率的にドープされたことを示した。Cu部位でBiCu_1 xAg_xSeOにおける重原子置換はSを増強し,フォノン散乱による全熱伝導率(k)を減少させることができる。さらに,種々のイオン半径を有する重原子(Ag)の取り込みは,BiCu_1 xAg_xSeOの0.64の改善されたZTは923Kで純粋なBiCuSeO(ZT=0.55)よりも16%以上のものである。Cu部位はオキシセレン化物ベース熱電材料の効率を改善するための有効なドーパント部位であるべきであると信じられている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *銀 ,  イオン半径 ,  熱電材料 ,  エネルギー変換 ,  ドーパント ,  熱伝導率 ,  ドーピング
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  変換効率 ,  Seebeck係数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BiCu_1 xAg_xSeO ,  Cuサイト ,  熱伝導率 ,  熱電材料 ,  ZT

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Cu ,  Ag ,  置換