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J-GLOBAL ID：201702270115532481   整理番号：17A0865210

スピンオン金属酸化物類および次世代リソグラフィーのためのそれらの応用

Spin-on Metal Oxides and Their Applications for Next Generation Lithography

著者 (17件)： Yao Huirong (EMD Performance Materials Corp.) ,  Mullen Salem (EMD Performance Materials Corp.) ,  Wolfer Elizabeth (EMD Performance Materials Corp.) ,  Mckenzie Douglas (EMD Performance Materials Corp.) ,  Dioses Alberto (EMD Performance Materials Corp.) ,  Rahman Dalil (EMD Performance Materials Corp.) ,  Cho JoonYeon (EMD Performance Materials Corp.) ,  Padmanaban Munirathna (EMD Performance Materials Corp.) ,  Petermann Claire (Merck Performance Materials) ,  Hong SungEun (Merck Performance Materials) ,  Mannaert Geert (IMEC) ,  Hopf Toby (IMEC) ,  De Simone Danilo (IMEC) ,  Vangoidsenhoven Diziana (IMEC) ,  Lorant Christophe (IMEC) ,  Sebaai Farid (IMEC) ,  Sanchez Efrain Altamirano (IMEC)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 29  号： 1  ページ： 59-67(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物または金属窒化物薄膜は,プラズマエッチングに対するそれらの優れた抗エッチング性のために,半導体リソグラフィー工程におけるハードマスク材料として用いられる。化学蒸着(CVD)または原子層蒸着(ALD)が,基材または下層フィルム上に金属含有材料を析出するために通常用いられ,そしてそれは,特殊な装置を用い,かつ所有のための高いコストと低いスループットにつながる。本報告は,簡単な溶液スピンコーティング法による新規な金属酸化物ハードマスクの形成および機能的特性について述べる。かなりの量のTi,W,Hf,ZrおよびAlを含むこれらの安定な金属酸化物処方は,良好なエッチング選択性および,したがって良好なパターン転写能力を備えている。金属酸化物薄膜は,製造環境における一般的に用いられるウエット化学物質(例えばTMAH現像液,溶媒または他の酸化剤)によって除去することができる。ハードマスク材料はDUV波長を吸収し,それゆえに,基材の反射率を制御するためのスピンオン無機物または複合型反射防止コーティングとして用いることができる。いくつかの金属ハードマスクをまた,高いK材料としての電子装置のための,経由するまたは溝充填への応用のために開発した。本研究は,これらの金属酸化物ハードマスクが,金属汚染の懸念なしでリトトラックキングおよびエッチング加工と適合することを示した。それらは,したがって,CVDまたはALD金属,金属酸化物,金属窒化物または193nmでのスピンオンシリコン含有ハードマスク薄膜またはEUVプロセスの代替として組み込むことができる。本稿は,スピンオン金属酸化物処方におけるコーティング,光学,充填,エッチングおよびウエット除去特性について考察する。さらに,先進技術ノードのための自己整列4重パターニングカットプロセスにおける新しい潜在的アプリケーションについても,述べる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *金属酸化物 ,  スピンコーティング ,  生産プロセス ,  実用化 ,  *積層材料 ,  *化学蒸着 ,  生産性向上 ,  エッチング ,  マスク ,  反射率 ,  反射防止膜
準シソーラス用語： エッチング処理 ,  ハードマスク ,  次世代製造法 ,  実用応用 ,  *積層材

著者キーワード (10件)： metal oxide hard masks ,  spin coat ,  antireflective ,  etch resistance ,  gap fill ,  lithography ,  wet strip ,  metal contamination ,  SAQP ,  cut last

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  仕上げ  (YM06030F) ,  気相めっき  (WC08022K)

引用文献 (12件)：

• 1. Q. X. Jia, T. M. McCleskey, A. K. Burrell, Y. Lin, G. E. Collis, H. Wang, A. D. Q. Li, S. R. Foltyn, Nat. Mater., 3 (2004) 529.
• 2. Y. Wei, M. Glodde, H. Yusuff, M. Lawson, S-Y. Chang, K-S. Yoon, C-H. Wu and M. Kelling., Proc. SPIE, 7972 (2011) 79722L-1.
• 3. R. Zhang, A. G. Timko, J. Zook, Y. Wei, L. Pylneva, Y. Yi, C. Li, H. Wu, D. Rahman, D. S. Mckenzie, C. Anyadiegwu, P. Lu, M. Neisser, R. Dammel, R. Bradbury, T. Lee, Proc. SPIE, 7273 (2009) 72732O.
• 4. H. Yao, S. Mullen, E. Wolfer, D. Rahman, C. Anyadiegwu, D. McKenzie, A. Dioses, J. Cho, M. Padmanaban, Proc. SPIE, 8682 (2013) 86820S1.
• 5. M. Padmanaban, J. Cho, H. Yao, D. McKenzie, A. Doise, S. Mullen, E. Wolfer, K. Kurosawa, J. Photopolym. Sci. Technol., 26 (2013) 231.

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属酸化物 ,  次世代 ,  リソグラフィー ,  応用