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J-GLOBAL ID：201702278268340633   整理番号：17A0637772

白金触媒を用いた純水中の炭化ケイ素のウェットエッチング

Chemical etching of silicon carbide in pure water by using platinum catalyst

著者 (8件)： Isohashi Ai (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Bui P. V. (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Toh D. (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Matsuyama S. (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Sano Y. (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Inagaki K. (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Morikawa Y. (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Yamauchi K. (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 20  ページ： 201601-201601-4  発行年： 2017年05月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ウェットエッチング ,  *白金触媒 ,  金属薄膜 ,  白金 ,  微斜面 ,  表面構造 ,  純水 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： 白金薄膜

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 白金触媒 ,  純水 ,  炭化ケイ素 ,  ウェットエッチング