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J-GLOBAL ID：201702281046962369   整理番号：17A0190655

中間倍率モードを持つ暗視野電子ホログラフィーによるナノスケール三角SiGeパターンにおける歪マッピング

Strain mapping in a nanoscale-triangular SiGe pattern by dark-field electron holography with medium magnification mode

著者 (11件)： HOANG Van Vuong (National Nanofab Center, Daejeon) ,  HOANG Van Vuong (Chungnam National Univ., Daejeon) ,  CHO Youngji (National Nanofab Center, Daejeon) ,  YOO Jung Ho (National Nanofab Center, Daejeon) ,  HONG Soon-Ku (Chungnam National Univ., Daejeon) ,  CHOI Yong Ho (Jungwon Univ., Goesan) ,  CHOI Sungha (Eugene Technol., Co., Ltd, Yongin) ,  JUNG Wooduck (Eugene Technol., Co., Ltd, Yongin) ,  JEONG Chang Kyu (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon) ,  JEONG Chang Kyu (KAIST Inst. for the NanoCentury (KINC), Daejeon, KOR) ,  YANG Jun-Mo (National Nanofab Center, Daejeon)
資料名： Microscopy  (Microscopy)
巻： 65  号： 6  ページ： 499-507  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： W1384A  ISSN： 2050-5698  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中間倍率モードを持つ暗視野電子ホログラフィーにより半導体試料の歪測定を行った。試料はナノスケール三角SiGe/(001)Si双プリズムである。その(004),(2<span style=text-decoration:overline>2</span>0),(<span style=text-decoration:overline>1</span>11)回折ビームに対するホログラムをHoloDarkプラグインにより解析し,[100],[1<span style=text-decoration:overline>1</span>0],[001]方向に沿う深さ方向の歪マップを作成した。一方,線形異方性弾性理論に基づく有限要素法によりシミュレーションを行って歪分布を取得し,実験結果と比較した。(004),(2<span style=text-decoration:overline>2</span>0),(<span style=text-decoration:overline>1</span>11)回折ビームに対し,歪値はそれぞれ0.9~1.0%,1.1~1.2%,1.0~1.1%,歪精度は2.1×10^-3,3.2×10^-3,9.1×10^-3であった。この方法は高精度,高空間分解能,広視野の強力な方法である。

シソーラス用語： *ホログラフィー ,  *半導体材料 ,  *ナノ構造 ,  *三角形 ,  プリズム ,  *歪測定 ,  *歪分布 ,  電子回折 ,  弾性力学 ,  有限要素法 ,  シミュレーション ,  測定精度
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム ,  弾性理論 ,  *電子ホログラフィー

分類 (4件)： その他の材料  (HC02050E) ,  その他のホログラフィー  (BD03073D) ,  電子回折法  (BK01030T) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

引用文献 (33件)：

• Cooper D, Denneulin T, Bernier N, Béché A (2016) Strain mapping of semiconductor specimen with nm-scale resolution in a transmission electron microscope. Micron 80: 145-165.
• Hue F, Hytch M, Houdellier F, Snoeck E, Claverie A (2008) Strain mapping in MOSFETS by high-resolution electron holography. Mat. Sci. Eng. B 154-155: 221-224.
• Armigliato A, Balboni B, Carnevale G P, Pavia G, Piccalo D, Frabboni S, Benedetti A, Cullis A G (2003) Application of convergent beam electron diffraction to two-dimensional strain mapping in silicon devices. Appl. Phys. Lett. 82: 2172.
• Lee M L, Fitzgerald E A, Bulsara M T, Currie M T, Lochtefeld A (2005) Strained Si, SiGe, and Ge channels for high-mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. J. Appl. Phys. 97: 011101.
• Hoang V V, Cho Y J, Yoo J H, Yang J-M, Choi S H, Jung W D, Choi Y H, Hong S-K (2015) 2D strain measurement in sub-10 nm SiGe layer with dark-field electron holography. Curr. Appl. Phys. 15: 1529-1533.

タイトルに関連する用語 (7件)： 倍率 ,  暗視野 ,  電子ホログラフィー ,  ナノスケール ,  三角 ,  SiGe ,  マッピング