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J-GLOBAL ID：201702282130678962   整理番号：17A0865207

UVナノインプリントリソグラフィーのためのレジスト材料:UV-NILに基づく施工における高速なレジスト流延の方法

Resist Materials for UV Nanoimprint Lithography: Approaches to Rapid Resist Spreading on Dispensing Based UV-NIL

著者 (1件)： Usuki Kazuyuki (FUJIFILM Corporation)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 29  号： 1  ページ： 45-51(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UVナノインプリントリソグラフィー(UV-NIL)スループットを改善する狙いで,レジスト充填時間の短縮を検討した。新規な低揮発性,低粘度レジストを,微小レジスト液滴によるインクジェッティングおよび減圧下でのインプリンティングを可能にするために開発した。レジスト流延の直接観察は,レジスト充填プロセスが3つの段階から構成されることを示した。A)毛管橋形成,B)レジスト流延およびC)気泡溶解。レジスト充填時間は,ヘリウムから0.02MPaの減圧大気へと環境を変えることによって劇的に減少した。0.7plおよび0.6plのレジスト液滴の比較は,レジスト液滴サイズの減少の一方で面密度の上昇が,またレジスト充填時間を減少させることを示した。改善された気泡溶解速度は,減圧環境下でのインプリンティングから生じる結果であると考えられる。さらに,高い密度でのより小さいレジスト液滴のインクジェッティングは,3つの段階の各々の時間(特に気泡溶解時間)の減少に効果があると考えられる。NIL施工を真空化でのインプリンティングと組み合わせることは,UV-NILスループットを改善すると期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  流延成形 ,  高速化 ,  方式 ,  インクジェット印刷 ,  *毛管現象 ,  崩壊 ,  LPCVD ,  *積層材料 ,  生産性向上
準シソーラス用語： *UVナノインプリントリソグラフィー ,  インクジェットプリント ,  レジスト材料 ,  気泡崩壊 ,  減圧CVD ,  *積層材 ,  方法 ,  *毛管作用

著者キーワード (4件)： imprint ,  UV-NIL ,  resist ,  ink-jet

分類 (3件)： 高分子固体のその他の性質  (CG02025L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  仕上げ  (YM06030F)

引用文献 (13件)：

• 1. S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom, Appl. Phys. Lett., 67 (1995) 3114.
• 2. T. Bailey, B. J. Choi, M. Colburn, A. Grot, M. Meissl, S. Shaya, J. G. Ekerdt, S. V. Sreenivasan, C. G. Willson, J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (2000) 3572.
• 3. I. Yoneda, S. Mikami, T. Ota, T. Koshiba, M. Ito, T. Nakasugi, T. Higashiki, Proc. SPIE, 6921 (2008) 692104.
• 4. Z. Ye, R. Ramos, C. Brooks, P. Hellebrekers, S. Carden and D. LaBrake, Proc. SPIE, 7637 (2010) 76371A.
• 5. M. Malloy and L. C. Litt, Proc. SPIE, 7637 (2010) 763706.

タイトルに関連する用語 (6件)： UVナノインプリントリソグラフィー ,  レジスト材料 ,  NIL ,  施工 ,  レジスト ,  流延