特許
J-GLOBAL ID：200903015676738609

薄膜作製装置

発明者：
全 基栄

全 基栄 について

, 
坂本 仁志

坂本 仁志 について

, 
野田 優

野田 優 について


出願人/特許権者：
野田 優

野田 優 について


代理人 (6件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年 ,  光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-008230
公開番号（公開出願番号）：特開2007-191729
出願日： 2006年01月17日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】被エッチング部材の温度を独立して容易に制御し、成膜条件の最適化を容易に実現する。【解決手段】独立して温度制御された被エッチング部材により、供給精度が高められた状態の前駆体CuClと、チャンバ1外の材料供給装置6からのCl*とをチャンバ1に供給され、温度制御を複雑にすることなく(ヒータ4で加熱制御するだけで)、プラズマによる輻射の影響をなくしてCuClのCu成分を基板3に析出させて成膜を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を収容するチャンバに接続されチャンバ内に薄膜の材料となるガスの供給を行うガス供給装置であって、 少なくとも一種類の高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る元素を含む材料で形成される被エッチング部材を備え、前記被エッチング部材の温度を所定の温度に加熱する加熱手段を設け、所定の温度に加熱された前記被エッチング部材にハロゲンガスを接触させて前記元素とハロゲンとの化合物である前駆体のガスを形成して前記チャンバ内に供給する材料通路を備えたことを特徴とする材料供給装置。
IPC (1件)：
C23C 16/14
FI (1件)：
C23C16/14
Fターム (8件)：
4K030AA03 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA22 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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