特許
J-GLOBAL ID：200903024589959908
半導体レーザモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
鎌田 耕一
, 黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-100792
公開番号（公開出願番号）：特開2009-253108
出願日： 2008年04月08日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
【課題】結合効率が高く位置合わせのトレランスが大きい結合を、簡単な構成で実現できる半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザモジュール300は、半導体レーザ素子100と少なくとも1つの屈折率分布型ロッドレンズ200とを備える。半導体レーザ素子100は、半導体基板10と、半導体基板10上に積層された半導体多層膜を備える。半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。半導体基板10および半導体多層膜は、平坦面101と、平坦面101から突出するように形成され且つ第1および第2の端面を含む積層構造102とを構成している。屈折率分布型ロッドレンズ200は、レーザ光がロイドのミラー干渉を生じる位置に配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子と少なくとも1つの屈折率分布型ロッドレンズとを備える半導体レーザモジュールであって、
前記半導体レーザ素子は、基板と、前記基板上に積層された半導体多層膜を備え、
前記半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含み、
前記基板および前記半導体多層膜は、平坦面と、前記平坦面から突出するように形成され且つ第1および第2の端面を含む積層構造とを構成しており、
前記第1の端面は、レーザ光が出射される端面であり、
前記第2の端面は、前記第1の端面に対向する端面であり、
前記第1および前記第2の端面は、少なくとも、前記下側クラッド層の少なくとも一部、前記活性層、および前記上側クラッド層によって構成され、且つ、外側に凸の曲面であり、
前記少なくとも1つの屈折率分布型ロッドレンズは、前記レーザ光がロイドのミラー干渉を生じる位置に配置されている、半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5F173AA32
, 5F173AB50
, 5F173AB51
, 5F173AB61
, 5F173AD05
, 5F173AF12
, 5F173AF32
, 5F173AH01
, 5F173AH49
, 5F173AK21
, 5F173AR52
, 5F173MC15
, 5F173MC24
, 5F173ME90
, 5F173MF23
, 5F173MF39
