不揮発性メモリにおける読み取り・検証動作を生成する方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 田中英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-128150
公開番号（公開出願番号）：特開2007-299489
出願日： 2006年05月02日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】ワード線電圧を生成する方法と装置が開示される。【手段】ワード線電圧発生器は、第1電流源と調整可能電流源と電圧変換器とを備え、これらは電流加算ノードに接続される。第1電流源は第1電流を生成し、第1電流から導出される電圧は、相互接続されたビット・セルのストリングにおけるメモリ・セルの位置と共に変化するセル位置依存温度係数を少なくとも部分的に含む。調整可能電流源は温度変化から実質的に独立した第2電流を生成する。電圧変換器は第1電流に比例するワード線電圧を持つワード線信号を生成するよう構成される。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

ワード線電圧発生器であって、電流加算ノードに結合され、第1電流を生成するよう構成された電流源であって、前記第1電流から導出された電圧が、相互接続されたビット・セルのストリングにおけるメモリ・セルの位置と共に変動するセル位置依存性温度係数を少なくとも部分的に含む第1電流源と、前記電流加算ノードに結合され、温度変化から実質的に独立した第2電流を生成するよう構成された調整可能電流源と、前記電流加算ノードに結合され、前記第1電流に比例するワード線電圧を持つワード線信号を発生する電圧変換器と、を具備するワード線電圧発生器。

IPC (3件)：

G11C 16/06 , G11C 16/04 , G11C 16/02

FI (4件)：

G11C17/00 633B , G11C17/00 622E , G11C17/00 633C , G11C17/00 641

Fターム (10件)：

5B125BA02 , 5B125CA13 , 5B125EA05 , 5B125EC03 , 5B125EC06 , 5B125EG09 , 5B125EG10 , 5B125EG16 , 5B125EK01 , 5B125FA05

引用特許：

審査官引用 (7件)

電圧発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-207794 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置および記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-045571 出願人：株式会社東芝
特許第6377090号

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