特許

J-GLOBAL ID：200903059458310629

半導体装置の製造方法

発明者： 佐々木 敬彦 ,  中榮 穣 ,  原山 卓久
出願人/特許権者： 株式会社国際電気通信基礎技術研究所
代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-076575
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235774
出願日： 2007年03月23日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】酸化シリコン膜を簡単な方法で除去する工程を含む、新規な半導体の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置を製造するための本発明の方法は、表面の一部に孤立するように酸化シリコン膜16aが形成された基材20を、有機アルカリ液21中に浸漬する工程と、その工程を経た基材20を、水22(水を含む液体)中に浸漬して超音波を印加することによって、酸化シリコン膜16aを選択的に基材20から剥離する工程とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(i)表面の一部に孤立するように酸化シリコン膜が形成された基材を、有機アルカリ液中に浸漬する工程と、 (ii)前記(i)の工程を経た前記基材を、水を含む液体中に浸漬して超音波を印加することによって、前記酸化シリコン膜を選択的に前記基材から剥離する工程とを含む、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01S 5/22

FI (2件)：

H01L21/306 D ,  H01S5/22

Fターム (7件)：

5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043EE05 ,  5F173AA02 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36 ,  5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 変調器と変調器付き半導体レーザ装置並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-265144   出願人：三菱電機株式会社