特許
J-GLOBAL ID：200903083992769058
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201750
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047645
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】簡単な構造を有し高効率で小型の半導体レーザ素子およびその製造方法を実現することである。【解決手段】半導体レーザ素子は、量子井戸薄膜5により構成される円筒状のレーザ共振器を備える。量子井戸薄膜5は、量子井戸層の両面を障壁層で挟んだ量子井戸構造を有する。光励起または電流注入により量子井戸薄膜5に光が発生し、発生した光が円筒状のレーザ共振器の周上を走行し、ウィスパリング・ギャラリー・モードによる光共鳴状態が発生する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1の半導体層上に第2の半導体層が形成され、
前記第1の半導体層は、第1の格子定数を有し、
前記第2の半導体層は、前記第1の格子定数よりも大きな第2の格子定数を有するとともに、光を発生する活性層を含み、
前記第1の半導体層および前記第2の半導体層が略筒状に形成されたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5F073AA51
, 5F073AA66
, 5F073AA72
, 5F073CA04
, 5F073DA22
, 5F073DA30
