単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004019195
公開番号（公開出願番号）：WO2005-069356
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法とそれを用いて得られるデバイスを提供する。単結晶シリコン基板(鋳型Si基板)201を用意して、この単結晶シリコン基板201上にエピタキシャルな犠牲層202を形成する。次いで、この犠牲層202上に単結晶シリコン薄膜203をRVD法により急速にエピタキシャル成長させ、次に、前記犠牲層202をエッチングし、太陽電池発電層単結晶シリコン薄膜204を得る。

請求項（抜粋）：

(a)単結晶基板を準備し、 (b)該単結晶基板上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ犠牲層をエピタキシャル成長させ、 (c)該犠牲層上に同一の物質で前記犠牲層より結晶欠陥の少ない単結晶薄膜をエピタキシャル成長させ、 (d)前記犠牲層をエッチングし、結晶欠陥の少ない単結晶薄膜を製造することを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/06 , H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 31/04 , C23C 14/14 , C23C 16/24

FI (6件)：

C30B29/06 504F , H01L21/20 , H01L27/12 E , H01L31/04 X , C23C14/14 A , C23C16/24

Fターム (71件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BA04 , 4G077DA01 , 4G077DB01 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077FE05 , 4G077FE11 , 4G077FJ03 , 4G077HA01 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TC06 , 4G077TC10 , 4G077TC13 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA35 , 4K029BB02 , 4K029BB09 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029DB03 , 4K029DC03 , 4K029EA01 , 4K029EA08 , 4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA16 , 5F051AA02 , 5F051CB02 , 5F051GA04 , 5F051GA15 , 5F152LL03 , 5F152LL07 , 5F152LM04 , 5F152LM05 , 5F152LM08 , 5F152LM09 , 5F152LP01 , 5F152LP08 , 5F152MM13 , 5F152MM19 , 5F152NN03 , 5F152NN07 , 5F152NN10 , 5F152NN27 , 5F152NP03 , 5F152NP17 , 5F152NQ01 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ06 , 5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体基板及び半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-156442 出願人：キヤノン株式会社
ゲートアレイの自動配置配線方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-196181 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
半導体素子基体及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-046306 出願人：キヤノン株式会社

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