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J-GLOBAL ID:201002223449750472   整理番号:10A0700466

Si源による硝酸酸化法によってつくった低漏れ電流をもつSiO2/Si構造

SiO2/Si Structure Having Low Leakage Current Fabricated by Nitric Acid Oxidation Method with Si Source
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著者 (3件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: H253-H256  発行年: 2010年 
JST資料番号: W1290A  ISSN: 1099-0062  CODEN: ESLEF6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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硝酸を用いるSiO2/Si構造の低温製造法を開発した。Siを硝酸酸化するものである。この方法でつくったMOSダイオードの漏れ電流密度は同じ厚さのCVD SiO2層よりずっと低く,900°Cで生成した酸化物とほぼ等しい。この低い漏れ電流密度は,均一なSiO2の厚さと優れた界面特性による。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
非金属化合物  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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