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J-GLOBAL ID：201002253443772292   整理番号：10A0029852

液中プラズマプロセスを用いた化合物半導体形成法

A synthesis method of compound semiconductors using in-liquid plasma

著者 (3件)： 豊田洋通 (愛媛大) ,  野村信福 (愛媛大) ,  向笠忍 (愛媛大)
資料名： 日本機械学会熱工学コンファレンス講演論文集  (Proceedings of Thermal Engineering Conference)
巻： 2009  ページ： 95-96  発行年： 2009年11月06日 
JST資料番号： L0417A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 液中プラズマCVDによる化合物の形成経路を明らかにし,形成メカニズムを解明する。また,化合物形成のための実験条件(形成領域)を示したダイヤグラムを作成し,形成領域を絞り込むことで原料の選定を容易にすることを目的とする。本研究では電気陰性度が大きい物質とイオン化エネルギーが小さい物質から優先的に結合すると考えて形成物を推定している。実験結果との整合による結果,ダイヤモンドおよびSiCの形成メカニズムを解明し,それぞれの形成領域を示すことができた。化合物半導体の形成実験を効率よく進めるための基礎が示された。(著者抄録)

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *化合物半導体 ,  化学反応 ,  化合物 ,  ダイヤモンド ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： *液中プラズマCVD ,  *形成機構

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 液中プラズマ ,  プロセス ,  化合物半導体