特許
J-GLOBAL ID：201103027747816459
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243095
特許番号：特許第3854025号
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイ内のメモリセルに対するデータの読み出し、書き込み、消去の各動作に応じて、選択されたメモリセルに供給する印加電圧及び印加時間を制御する書込制御部とを具備し、
前記書込制御部は、データ消去後に行われる弱書き込み動作での書き込み制御において、前記メモリセルアレイ内の所定個のメモリセルに対しては、消去ベリファイ時に用いられる消去ベリファイ電圧を超えない第1の電圧で書き込みを行い、
前記所定個のメモリセル以外のメモリセルに対しては、前記所定個のメモリセルにおけるメモリセル1個当たりの書き込みの平均書き込み回数に応じて、前記消去ベリファイ電圧を超えない電圧で、かつ前記第1の電圧に所定の電圧増分を加えた第2の電圧、あるいは前記第1の電圧のいずれかを用いて書き込みを行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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