特許
J-GLOBAL ID：201103093704611244

単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイス

発明者：
野田 優

野田 優 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-223441
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023742
出願日： 2010年10月01日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。【解決手段】 単結晶シリコン基板71を用意し、この単結晶シリコン基板71上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層72を形成し、この単結晶シリコン犠牲層72上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層72より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜73を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層72を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜73を製造する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
(a)単結晶基板を準備し、 (b)該単結晶基板上に該単結晶基板と同一の物質で結晶欠陥を含んだ犠牲層をエピタキシャル成長させ、 (c)該犠牲層上に該犠牲層と同一の物質で前記犠牲層より結晶欠陥の少ない単結晶薄膜をエピタキシャル成長させ、 (d)前記犠牲層をエッチングし、結晶欠陥の少ない単結晶薄膜を製造することを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/203 ,  C30B 29/06 ,  C23C 16/01 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04
FI (7件)：
H01L21/203 Z ,  C30B29/06 504F ,  C30B29/06 504G ,  C23C16/01 ,  C23C14/14 A ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 X
Fターム (64件)：
4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB01 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FE05 ,  4G077FE11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA01 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029EA08 ,  4K029FA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030JA10 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AA19 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AD10 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045DA67 ,  5F045HA14 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103DD16 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL04 ,  5F103NN01 ,  5F103PP06 ,  5F103RR01 ,  5F151AA02 ,  5F151CB02 ,  5F151CB12 ,  5F151CB24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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