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J-GLOBAL ID：201602219293020565   整理番号：16A0310467

SiCパワーデバイスの過渡熱抵抗測定に関する一検討-SiC MOSFETにおけるゲート閾値電圧の動的変化の影響-

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著者 (2件)： 舟木剛 (大阪大) ,  福永崇平 (大阪大)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.4-019  発行年： 2016年03月05日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  熱特性 ,  *半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  MOSFET ,  電力トランジスタ ,  *炭化ケイ素 ,  熱抵抗 ,  電圧変動 ,  閾値 ,  *熱特性評価
準シソーラス用語： *熱的特性評価 ,  *パワーデバイス ,  パワーMOSFET ,  *SiC ,  閾値電圧シフト

分類 (4件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  電源回路  (NC05060Q) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiCパワーデバイス ,  熱抵抗測定 ,  SiC ,  MOSFET ,  ゲート ,  閾値電圧 ,  動的変化