放熱構造及びその合成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 大貫進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-522207
公開番号（公開出願番号）：特表2016-522996
出願日： 2014年05月30日
公開日（公表日）： 2016年08月04日
要約：

本開示により、放熱構造及びその合成方法が提供される。この方法は、金属箔を準備することと、前記金属箔の第1の表面の上に堆積基板を形成することであり、前記堆積基板は、前記金属箔上に配置されるバリア層と、前記バリア層上に配置される触媒層とを有し、それにより、前記触媒層内の触媒は前記金属箔内に拡散することを阻止される、堆積基板を形成することと、前記第1の表面上に形成された前記堆積基板の上にカーボンナノチューブアレイを合成することとを有する。本開示によって提供される方法は、放熱構造内のCNTの密度を高めることができる。

請求項（抜粋）：

放熱構造を合成する方法であって、金属箔を準備し、前記金属箔の第1の表面の上に堆積基板を形成し、前記堆積基板は、前記金属箔上に配置されるバリア層と、前記バリア層上に配置される触媒層とを有し、それにより、前記触媒層内の触媒は前記金属箔内に拡散することを阻止され、且つ前記第1の表面上に形成された前記堆積基板の上にカーボンナノチューブアレイを合成する、ことを有する方法。

IPC (1件)：

H01L 23/36

FI (1件)：

H01L23/36 D

Fターム (16件)：

4G146AA11 , 4G146AC22A , 4G146AD05 , 4G146AD20 , 4G146AD40 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC33A , 4G146BC38A , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 5F136BC07 , 5F136FA25

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体基板、その製造方法、および電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-065266 出願人：株式会社東芝
カーボンナノチューブを用いたパッケージ及び電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-303180 出願人：富士通株式会社
多層カーボンナノチューブの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-288399 出願人：アイシン精機株式会社

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