特許

J-GLOBAL ID：201803004406370098

半導体装置

発明者： 渡部 平司 ,  志村 考功 ,  細井 卓治 ,  箕谷 周平 ,  中野 佑紀 ,  中村 亮太 ,  中村 孝
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人あい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092748
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157976
特許番号：特許第6239681号
出願日： 2016年05月02日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 SiCからなる半導体層と、 前記半導体層に接する酸化シリコン膜を含むゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むMIS構造を有し、 負バイアス温度ストレス試験により得られるC-V曲線のフラットバンド電圧VFB(NBTS)と、正バイアス温度ストレス試験により得られるC-V曲線フラットバンド電圧VFB(PBTS)との差の絶対値で示されるフラットバンド電圧のシフト量ΔVFBが10V以下であり、 前記ゲート絶縁膜は、前記酸化シリコン膜からなる下層膜と、前記下層膜上に形成され、酸化シリコンとは異なる絶縁材料からなる上層膜とを含む積層膜からなり、 前記ゲート絶縁膜中の正の可動イオンの面密度QMが1×1012cm-2以下である、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 L ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 絶縁膜構造体及びこれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-235540   出願人：パナソニック株式会社
• MIS型半導体装置の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-261094   出願人：信越半導体株式会社
• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-114793   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-041704   出願人：日産自動車株式会社