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J-GLOBAL ID：200902204909363345   整理番号：03A0538640

電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析-ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価-

Analysis of Stressed-Gate SiO₂ Films with Electron Injection by Conducting Atomic Force Microscopy-Microscopic observation for Degradation Mechanism of Gate SiO₂ Films-

著者 (6件)： 世古明義 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  渡辺行彦 (豊田中研) ,  近藤博基 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  財満鎮明 (名古屋大 先端科学技術共同研セ) ,  安田幸夫 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 103  号： 148(SDM2003 50-61)  ページ： 1-6  発行年： 2003年06月26日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電流検出型原子間力顕微鏡法(Conducting Atomi...

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,...
準シソーラス用語： 電子注入

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分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  信頼性  (KB04040H)

引用文献 (11件)：

• DIMARIA, D. J. J. Appl. Phys. 1995, 78, 6, 3883-3894
• MIZUBAYASHI, W. Jpn. J. Appl. Phys., Part1, B. 2002, 41, 4, 2426-2430
• DEGRAEVE, R. IEEE Trans. Electron Devices. 1998, 45, 4, 904-911
• OHMORI, K. Appl. Surf. Sci. 2000, 162-163, 395-400
• OHMORI, K. Proc. of the 4th int. Symp. on the Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface. 2000, 345

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子注入 ,  ストレス ,  ゲート酸化膜 ,  電流検出 ,  原子間力顕微鏡 ,  解析 ,  ゲート絶縁膜 ,  評価