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J-GLOBAL ID：200902255838076530   整理番号：08A0735587

MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価

Fabrication of Pr oxide by MOCVD and evaluation of its electrical properties

著者 (5件)： 近藤博基 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  櫻井晋也 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  酒井朗 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  小川正毅 (名古屋大 エコトピア科研) ,  財満鎭明 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 80(SDM2008 42-57)  ページ： 71-75  発行年： 2008年06月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： バブリングによる原料供給が可能なシクロペンタジエニル錯体(Pr(EtCp)₃)を用いた有機金属化学気相蒸着(MOCVD)法によるPr酸化膜の成膜を検討した。酸化剤として水(H₂O)を用いることにより,O₂を用いた場合に対して膜中炭素濃度を約10分の1(2%)に低減できる。またH₂Oを用いて成膜したPr酸化膜は多結晶の柱状構造であり,Pr₂O₃の六方晶がSi(001)基板上に優先配向していることもわかった。MOSキャパシタの測定結果より,本研究で作製したMOCVD-Pr₂O₃膜の比誘電率は26,V_FB+1Vでのリーク電流密度は5.8×10^-6(A/cm²)と得られた。これらの結果より,シクロペンタジエニル錯体とH₂Oを用いたMOCVD法によって,高誘電率かつ低リーク電流なPr酸化膜が形成可能なことがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *MOCVD ,  酸化膜 ,  シクロペンタジエニル錯体 ,  *電気的性質 ,  *キャラクタリゼーション ,  薄膜コンデンサ ,  誘電率 ,  電流密度 ,  *誘電材料 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： MOSキャパシタ ,  比誘電率 ,  *高誘電率材料

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  Pr ,  酸化膜 ,  作製 ,  電気的特性 ,  評価