特許
J-GLOBAL ID：200903002483664875

不揮発性半導体メモリ

発明者：
丹沢 徹

丹沢 徹 について

, 
渥美 滋

渥美 滋 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260391
公開番号（公開出願番号）：特開2003-157685
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】ページ読み出し機能を備えながら、リードディスターブ時間をページ読み出し機能を備えない不揮発性半導体メモリと同等にすることを目的とする。【解決手段】不揮発性半導体メモリにアドレスを割り付ける際に、第1のアドレスサブセットA0〜A2としてカラムアドレスCA0〜CA2、この第1のアドレスサブセットより上位の第2のアドレスサブセットA3〜A12としてロウアドレスRA0〜RA9、上記第2のアドレスサブセットより上位の第3のアドレスサブセットA13,A14としてカラムアドレスCA3,CA4を割り付けることを特徴とする。1ワードの読み出し時間で複数ワードを読むことができるので、複数ワードを読む時間に対するワード線ストレス時間が少なくなり、ワード線数が減るので1本のワード線が選択される時間を増大できる。この結果、リードディスターブ時間はページモード機能を備えない場合と同等にでる。
請求項（抜粋）：
第1のアドレスサブセットAj(j=0,...,J-1)、第2のアドレスサブセットAk(k=J,...,K-1)及び第3のアドレスサブセットAl(l=K,...,L-1)をそれぞれ含むアドレス信号Ai(i=0,...,I-1)によって、少なくとも1つが指定される複数の不揮発性メモリセルと、前記複数の不揮発性メモリセルにそれぞれ接続される複数のワード線及び複数のビット線と、第1のアドレスサブセットとして第1のカラムアドレスが入力され、第2のアドレスサブセットとして第1のロウアドレスが入力され、第3のアドレスサブセットとして第2のカラムアドレスが入力されるアドレスバッファと、前記アドレスバッファの出力信号が供給され、前記複数の不揮発性メモリセルのうちの少なくとも1つを選択するように構成されたデコーダとを具備し、前記複数のビット線は少なくとも前記第3のアドレスサブセットにより選択され、前記複数のワード線は少なくとも前記第2のアドレスサブセットにより選択されることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (4件)：
G11C 17/00 601 P ,  G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 601 A ,  G11C 17/00 633 A
Fターム (4件)：
5B025AD02 ,  5B025AD05 ,  5B025AD14 ,  5B025AE08
引用特許：
出願人引用 (6件)
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