文献

J-GLOBAL ID：201202299428663589   整理番号：12A0589459

周期溝構造AlN層/サファイア基板上に形成されたAlN厚膜中の転位構造解析

著者 (7件)： 岡本祥吾 (大阪大 大学院) ,  吉川純 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (JST-PRESTO) ,  三宅秀人 (三重大 大学院) ,  平松和正 (三重大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17A-B10-2  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *厚膜 ,  *サファイア ,  基板 ,  周期構造 ,  *転位分布 ,  結晶構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： HVPE【薄膜成長】 ,  テンプレート【型板】 ,  *転位構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 周期 ,  AlN ,  サファイア基板 ,  厚膜 ,  転位構造 ,  解析