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J-GLOBAL ID：201302240772363406   整理番号：13A1222892

Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定

Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate and their electronic states

著者 (6件)： 石部貴史 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  中村芳明 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  中村芳明 (JST-さきがけ) ,  松井秀紀 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  酒井朗 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 87(SDM2013 44-64)  ページ： 51-55  発行年： 2013年06月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板上鉄酸化物薄膜は,安価で環境低負荷な抵抗変化型メモリ(ReRAM)材料として期待されている。しかし,ON/OFF抵抗比が小さいという問題があるため,良質な薄膜を作製し,漏れ電流を抑制することが必要である。我々は,結晶欠陥が少ないと期待できるエピタキシャル鉄酸化物ナノドットに注目した。本研究では,極薄Si酸化膜を用いることで,鉄酸化物ナノドットをSi基板上へエピタキシャル成長する技術を開発し,その電子状態測定を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： 酸化鉄 ,  *ナノ構造 ,  *エピタクシー ,  電子状態 ,  *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  漏れ電流 ,  超薄膜 ,  走査型トンネル顕微鏡
準シソーラス用語： ReRAM ,  エピタキシャル成長 ,  *ナノドット ,  極薄膜 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  *抵抗変化型メモリ ,  鉄酸化物

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  鉄酸化物 ,  ナノドット ,  エピタキシャル成長 ,  電子状態