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文献
J-GLOBAL ID:201102296437929579   整理番号:11A1295401

GaAs単結晶基板上に形成した準安定bcc構造を持つエピタキシャルCo,Ni,NiFe薄膜の構造解析

Structure Analysis of Co, Ni, and NiFe Epitaxial Thin Films with Metastable bcc Structures Grown on GaAs Single-Crystal Substrates
著者 (3件):
資料名:
巻: 35  号: 27(MMS2011 17)  ページ: 19-26  発行年: 2011年07月08日 
JST資料番号: S0209A  ISSN: 1342-6893  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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超高真空RFマグネトロンスパッタ法によりGaAs(100),(111),(110)単結晶基板上に40nm厚のCo,Ni,Ni80Fe20(at.%)薄膜を室温で形成し,膜成長過程および結晶特性を調べた。GaAs(100),(111),(110)基板上において,それぞれ,(100),(111),(110)配向の準安定bcc構造を持つCo,Ni,NiFe単結晶膜がヘテロエピタキシャル成長した。膜厚の増加に伴い,Co,Ni,NiFeのbcc結晶はより安定なfcc結晶に変態する傾向が認められ,その結果,形成後の40nm厚の膜はbccおよびfcc結晶から構成されていることが分かった。bcc構造の安定性は3d強磁性遷移金属材料に依存して変化し,Co>Ni>NiFeの順であった。bcc-fcc相変態結晶方位関係を反射高速電子回折およびX線回折極点図形解析により決定した。GaAs(110)基板上に形成されたbcc-Co,bcc-Ni,bcc-NiFe結晶の格子定数をそれぞれ(a,b,c)=(0.2789,0.2789,0.2825nm),(0.2892,0.2892,0.2909nm),(0.2910,0.2910,0.2943nm)と求めた。(著者抄録)
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分類 (1件):
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薄膜成長技術・装置 

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