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J-GLOBAL ID：201102296437929579   整理番号：11A1295401

GaAs単結晶基板上に形成した準安定bcc構造を持つエピタキシャルCo,Ni,NiFe薄膜の構造解析

Structure Analysis of Co, Ni, and NiFe Epitaxial Thin Films with Metastable bcc Structures Grown on GaAs Single-Crystal Substrates

著者 (3件)： 野中雄介 (中央大 理工) ,  大竹充 (中央大 理工) ,  二本正昭 (中央大 理工)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 35  号： 27(MMS2011 17)  ページ： 19-26  発行年： 2011年07月08日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超高真空RFマグネトロンスパッタ法によりGaAs(100),(111),(110)単結晶基板上に40nm厚のCo,Ni,Ni₈₀Fe₂₀(at.%)薄膜を室温で形成し,膜成長過程および結晶特性を調べた。GaAs(100),(111),(110)基板上において,それぞれ,(100),(111),(110)配向の準安定bcc構造を持つCo,Ni,NiFe単結晶膜がヘテロエピタキシャル成長した。膜厚の増加に伴い,Co,Ni,NiFeのbcc結晶はより安定なfcc結晶に変態する傾向が認められ,その結果,形成後の40nm厚の膜はbccおよびfcc結晶から構成されていることが分かった。bcc構造の安定性は3d強磁性遷移金属材料に依存して変化し,Co>Ni>NiFeの順であった。bcc-fcc相変態結晶方位関係を反射高速電子回折およびX線回折極点図形解析により決定した。GaAs(110)基板上に形成されたbcc-Co,bcc-Ni,bcc-NiFe結晶の格子定数をそれぞれ(a,b,c)=(0.2789,0.2789,0.2825nm),(0.2892,0.2892,0.2909nm),(0.2910,0.2910,0.2943nm)と求めた。(著者抄録)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  コバルト ,  ニッケル ,  単結晶 ,  BCC金属 ,  準安定状態 ,  配向 ,  相変態 ,  格子定数
準シソーラス用語： *エピタキシャル成長

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (24件)：

• ZHANG, X.-G. Large magnetoresistance in bcc Co/MgO/Co and FeCo/MgO/FeCo tunnel junctions. Phys. Rev. B. 2004, 70, 17, 172407_1-172407_4
• OLEINIK, I. I. Atomic and electronic structure of Co/SrfiO_3/Co magnetic tunnel junctions. Phys. Rev. B. 2001, 65, 2, 020401(R)_1-020401(R)_4
• YUASA, S. Giant tunneling magnetoresistance up to 410% at room temperature in fully epitaxial Co/MgO/Co magnetic tunnel junctions with bcc Co(001) electrodes. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 4, 042505_1-042505_3
• BLUNDELL, S. J. Structure induced magnetic anisotropy behavior in Co/GaAs(001) films. J. Appl. Phys. 1993, 73, 10, 5948-5950
• G. Fourfold anisotropy and structural behavior of epitaxial hcp Co/GaAs(001) thin films. Phys. Rev. B. 1995, 52, 20, 14704-14708

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  単結晶基板 ,  BCC構造 ,  エピタキシャル ,  CO ,  Ni ,  薄膜 ,  構造解析