抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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磁性単結晶Ni(t nm)/Ni
50Co
50(100-t nm)(at.%)二層膜をCu(100)単結晶下地層上に形成し,層厚比が磁歪に及ぼす影響を調べた。二層膜の厚さは100nm一定とし,層厚を0から100nmの間で変化させた。Ni
50Co
50単層膜(t=0nm)の磁歪定数λ
100は正の値(+1×10
-4)であったのに対して,Ni単層膜(t=100nm)は負の値(-6×10
-5)を示した。t値の増加に伴い,二層膜のλ
100は正から負の値に単調に減少した。t=62nmでほぼゼロとなった。一方,λ
111は,いずれのt値に対しても負の値となり,t値が0から100nmに増加すると,-4×10
-5から-2×10
-5に僅かに増加した。本研究により,正と負の磁歪定数を持つ磁性材料を組み合わせることにより,磁歪を低減できることが示された。(著者抄録)