研究者
J-GLOBAL ID:200901046572615993   更新日: 2022年08月23日

小川 真人

オガワ マツト | Ogawa Matsuto
所属機関・部署:
職名: 理事
ホームページURL (2件): http://www2.kobe-u.ac.jp/~lerl2/j_research.htmlhttp://www2.kobe-u.ac.jp/~lerl2/en_research.html
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (3件): 計算ナノエレクトロニクス ,  ナノデバイスデザイン ,  半導体ナノエレクトロニクス
競争的資金等の研究課題 (5件):
  • 2013 - 2017 京コンピューターを用いたアトミスティック・デバイスシミュレータの開発
  • 2016 - 地域イノベーション戦略支援プログラム(国際競争力強化地域)「関西ライフイノベーション戦略推進地域」
  • 2012 - 2015 大規模原子論的計算に基づくナノ構造デバイスシミュレータの開発
  • 2009 - 量子輸送シミュレータによる極限シリコン新構造・新材料デバイスの設計
  • 2005 - 量子力学的手法による次世代分子トランジスタの最適化設計に関する研究
論文 (74件):
MISC (11件):
特許 (1件):
  • 量子ドット太陽電池
書籍 (3件):
  • ナノエレクトロニクスの基礎
    培風館 2007 ISBN:9784563067649
  • 電子材料ハンドブック
    朝倉書店, 応用物理学会編 2006
  • 応用物理学用語大辞典
    応用物理学会編 オーム社 1998
講演・口頭発表等 (207件):
  • 二次元原子膜h-BCNにおける原子配置が光誘起電流に及ぼす影響と受光感度評価
    (第79回 応用物理学会秋季学術講演会 2018)
  • グラフェン状物質h-BCNをチャネルとしたFETにおける電気伝導特性ばらつきの統計的解析
    (第79回 応用物理学会秋季学術講演会 2018)
  • グラフェン/h-BCN超格子構造をチャネルに用いたFETの量子閉じ込めによる特性変化
    (第79回 応用物理学会秋季学術講演会 2018)
  • グラフェン/h-BCN超格子構造の超格子ポテンシャルを用いた量子閉じ込めが光誘起電流に及ぼす影響
    (第79回 応用物理学会秋季学術講演会 2018)
  • ナノスケールデバイスシミュレーションのための非平衡グリーン関数法と障壁高さモデルの比較検討
    (第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)
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学歴 (1件):
  • - 1985 東京大学 大学院工学系研究科電子工学専門課程博士課程修了
学位 (1件):
  • 工学博士 (東京大学)
委員歴 (5件):
  • IEEE 関西支部幹事
  • IMFEDK 幹事
  • SISPAD 庶務
  • 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会幹事
  • 応用物理学会 関西支部評議員
受賞 (7件):
  • 2016/12 - 電子情報通信学会 電子情報通信学会シニアメンバー表彰 Pioneering Research on Quantum Mechanical Electronic and Phonotic Device Simulation
  • 2011/09 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー表彰 原子論的ナノデバイスシミュレーターに関する先駆的研究
  • 2009/05 - IEEE Electron Devices Society The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices Best Paper Award "Influence of Edge Roughness on the Performance of Graphene Nano-Ribbon Devices"
  • 2009/03 - IEEE Electron Devices Society IEEE Senior member Outstanding contribution to quantum simulation of nano-scaled devices
  • 2008/07 - 半導体理工学研究センター(STARC) 第6回半導体理工学研究センター共同研究賞 原子レベルの材料特性を考慮した 3次元量子輸送デバイスシミュレータの開発」の成果
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所属学会 (3件):
応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  IEEE
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