研究者
J-GLOBAL ID:200901051394333311   更新日: 2020年08月25日

中村 俊一

ナカムラ シュンイチ | Nakamura Shunichi
所属機関・部署:
職名: 産官学連携研究員
研究分野 (4件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (6件): パワーデバイス ,  エピタキシャル成長 ,  シリコンカーバイド ,  power device ,  epitaxial growth ,  silicon carbide
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • シリコンカーバイドの高品位エピタキシャル成長とパワーデバイスへの応用
  • Epitaxial growth of silicon carbide and application to power devices
MISC (11件):
学歴 (4件):
  • - 2002 京都大学 工学研究科 電子物性工学
  • - 2002 京都大学
  • - 1997 京都大学 工学部 電気工学第二
  • - 1997 京都大学
学位 (2件):
  • 修士(工学) (京都大学)
  • 博士(工学) (京都大学)
経歴 (2件):
  • 2002 - 2003 京都高度技術研究所知的クラスタープロジェクト研究員
  • 2003 - - 京都大学産官学連携研究員
所属学会 (2件):
応用物理学会 ,  Japan Society of Applied Physics
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