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J-GLOBAL ID：200902147997803429   整理番号：00A0116987

DBC半導体基板における接合残留応力および強度に及ぼすAl₂O₃接合反応相厚さの影響

Influence of the thickness of reaction phase Al₂O₃ on Jointing Residual Stress in the Semi-conductor Plate by DBC.

著者 (6件)： 岡部永年 (愛媛大) ,  ZHU X (愛媛大 大学院) ,  阿部豊 (東芝) ,  堤三佳 (愛媛大) ,  梶原虎之介 (愛媛大 大学院) ,  田辺康宏 (愛媛大 大学院)
資料名： 日本機械学会計算力学講演会講演論文集  (日本機械学会計算力学講演会講演概要集)
巻： 12th  ページ： 527-528  発行年： 1999年11月17日 
JST資料番号： L0203A  ISSN： 1348-026X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： DBC半導体基板は,Al₂O<sub>...

シソーラス用語： *基板 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  接合部  (HD03080V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体基板 ,  残留応力 ,  Al2O3 ,  厚さ