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J-GLOBAL ID：200902213821482378   整理番号：08A0367455

高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価

著者 (5件)： 野中秀彦 (産業技術総合研) ,  一村信吾 (産業技術総合研) ,  小杉亮治 (産業技術総合研) ,  福田憲司 (産業技術総合研) ,  荒井和雄 (産業技術総合研)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 51  号： 3  ページ： 221-223  発行年： 2008年03月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 炭化珪素(SiC)は次世代の低損失パワー素子として注目されている。低損失のSiC-MOSFETを実現するためには,各種処理前の酸化膜/SiCの初期界面が良好であることが,後処理効果に影響する。そのためにはオゾン等の反応性の高い酸化種が有効であると考えた。本研究では高濃度オゾンを用いた高温酸化可能な石英炉を用いて,ドライプロセスによりSiC基板上に作製した酸化膜を評価した。その結果,高濃度オゾンの比較的低温における高速酸化と界面状態の改善を確認した。

シソーラス用語： *酸化膜 ,  *炭化ケイ素 ,  *オゾン ,  高温酸化 ,  乾式法 ,  薄膜コンデンサ ,  MOS構造 ,  酸化 ,  半導体材料 ,  界面 ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： 固固界面

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (11件)：

• ARAI, K. eds. SiC soshi no kiso to ouyoh (Fundamental and applications of SiC devices). 2003, 14
• AFANAS'EV, V. V. Phys. Stat. Sol. 1997, 162, 321
• SON, N. T. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 1074
• SCHORNER, R. IEEE Electron Device Lett. 1999, 20, 241
• KOSUGI, R. IEEE Electron Device Lett. 2002, 23, 136

タイトルに関連する用語 (6件)： 高濃度 ,  オゾン ,  SiC ,  酸化 ,  酸化膜 ,  特性評価