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J-GLOBAL ID：200902248183362090   整理番号：08A0441599

半導体素子接合モジュールにおける製造時および運転時の熱応力解析

著者 (4件)： 出口智也 (愛媛大 大学院) ,  黄木景二 (愛媛大) ,  高橋学 (愛媛大) ,  土肥俊介 (愛媛大)
資料名： 日本機械学会計算力学講演会講演論文集  (日本機械学会計算力学講演会講演概要集)
巻： 20th  ページ： 431-432  発行年： 2007年11月25日 
JST資料番号： L0203A  ISSN： 1348-026X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,電気回路としてさまざまな機能をもった半導体素子接合モジュールの開発が進んでいる。通常半導体素子モジュールの接合には,接合構造上,ろう材が使用されており,600°Cを超す温度で接合する必要があるため,冷却過程で残留応力が発生し,基板全体の強度信頼性に影響を及ぼす可能性がある。そこで本研究では,半導体素子接合モジュールの寿命信頼性評価のため,FEM解析手法を用いて製造終了時に発生する残留応力分布を求めるとともに,運転終了時における熱応力分布を明らかにし,熱応力による破壊メカニズムを考察した。(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  回路モジュール ,  *熱応力解析 ,  生産工程 ,  運用 ,  残留応力 ,  応力分布 ,  数値解析 ,  *有限要素法 ,  破壊 ,  *解析
準シソーラス用語： *半導体素子接合モジュール ,  製造過程

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体素子 ,  モジュール ,  熱応力解析