加工方法、半導体装置の製造方法、及び加工装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-139083
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332215
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】基板上に形成された被加工膜の加工領域を選択的に加工する際、基板上にパーティクルが付着することを抑制する。【解決手段】基板上での照射形状が前記加工領域より小さい第1の加工光110を、前記基板に対して相対的に走査させて前記加工領域の加工膜105,106の加工を選択的に行う工程と、前記加工領域内に第2の加工光112を照射して加工膜105,106の加工を選択的に行う工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された加工膜の加工領域を選択的に除去又は膜厚減少させる加工を行う加工方法であって、前記基板上での照射形状が前記加工領域より小さい第1の加工光を、前記基板に対して相対的に走査させて前記加工領域の加工膜の加工を選択的に行う工程と、前記加工領域より内側の領域に第2の加工光を照射して、前記加工領域より内側の領域の前記加工膜の加工を選択的に行う工程とを含むことを特徴とする加工方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , B23K 26/00 , B23K 26/06 , B23K 26/12 , H01L 21/302 201 , B23K101:40

FI (7件)：

B23K 26/00 H , B23K 26/06 E , B23K 26/06 J , B23K 26/12 , H01L 21/302 201 B , B23K101:40 , H01L 21/30 522 Z

Fターム (18件)：

4E068AH00 , 4E068CD05 , 4E068CD10 , 4E068CE03 , 4E068CJ07 , 4E068DA10 , 5F004AA09 , 5F004BA20 , 5F004BB03 , 5F004DB07 , 5F004DB23 , 5F004DB25 , 5F004EA38 , 5F004EB08 , 5F046EA12 , 5F046EA17 , 5F046EB01 , 5F046FC02

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平4-354321
特開平4-354321
レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-083395 出願人：住友重機械工業株式会社

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