特許
J-GLOBAL ID：200903056613507400
メタライズされたセラミックス基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鍬田 充生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-318607
公開番号（公開出願番号）：特開2008-109062
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】基板の表面を粗化することなく、セラミックス基板と導体層との密着性が向上したメタライズされたセラミックス基板とその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板上に導電性金属粒子成分(酸化第二銅微粒子及び/又は酸化第一銅微粒子など)を含む導体ペーストを塗布し、真空又は不活性雰囲気下で焼成して導体層を形成し、メタライズされたセラミックス基板を製造する。セラミックス基板上に、導電性金属の化合物(銅化合物など)を含む表面処理剤でセラミックス基板の表面を処理し、酸素存在下で焼成して金属酸化物層を形成し、この金属酸化物層上に、前記導体層を形成してもよい。金属化合物は、水酸化物、有機酸塩、錯体などであってもよい。セラミックス基板と導体層との間に、金属酸化物層を形成する場合には、セラミックス基板と導体層との間の密着力をさらに改善することができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
セラミックス基板上に直接的又は間接的に導体層を形成する方法であって、セラミックス基板上に、導電性金属粒子成分を真空下又は不活性雰囲気下で焼成して導体層を形成し、メタライズされたセラミックス基板を製造する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5E343BB24
, 5E343DD02
, 5E343ER33
, 5E343ER37
, 5E343ER39
, 5E343GG02
