半導体ウエハ支持板及び半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264730
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080398
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】半導体ウエハの貫通孔部分のメッキ加工等の加工を容易にかつ良好に行うことができ、生産効率良く良好な半導体装置を製造することができる半導体ウエハ支持板及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ支持板1は、紫外線が透過可能なガラス若しくは樹脂から略円板状に形成され、その外径は、支持する半導体ウエハ10の外径より大きく設定されている。半導体ウエハ支持板1には、半導体ウエハ10に形成されている複数の貫通孔11に対応して、複数の開口2が形成されている。これらの開口2は、貫通孔11の開口面積よりも開口面積が広く、すなわち、開口径が大きく設定されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

両面を貫通する貫通孔が設けられ、前記貫通孔の部分により素子を形成する表面の電極が、反対側の裏面へ引き出される半導体ウエハを、支持するための半導体ウエハ支持板であって、少なくとも1 個以上の前記貫通孔を含む範囲に、両面を貫通し、前記半導体ウエハの貫通孔よりも開口面積が広い開口部が設けられたことを特徴とする半導体ウエハ支持板。

IPC (10件)：

H01L 21/683 , C25D 7/12 , C25D 17/06 , H01L 21/288 , H01L 25/18 , H01L 25/07 , H01L 25/065 , H01L 23/12 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (7件)：

H01L21/68 N , C25D7/12 , C25D17/06 C , H01L21/288 E , H01L25/08 Z , H01L23/12 L , H01L21/88 T

Fターム (39件)：

4K024AA09 , 4K024AB04 , 4K024AB15 , 4K024AB17 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CB02 , 4K024FA05 , 4K024GA16 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104DD28 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104EE02 , 4M104EE18 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104FF27 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA08 , 5F031JA38 , 5F031KA15 , 5F031MA25 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033MM05 , 5F033MM30 , 5F033NN06 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ46 , 5F033RR22 , 5F033TT07

引用特許：

出願人引用 (4件)

マルチチップ半導体装置、ならびにマルチチップ半導体装置用チップおよびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-305784 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-086152 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-005280 出願人：シャープ株式会社

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審査官引用 (3件)

マルチチップ半導体装置、ならびにマルチチップ半導体装置用チップおよびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-305784 出願人：株式会社東芝
特開平4-170090
配線基板の製造方法および配線基板のスルーホール充填用治具
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-254942 出願人：日本特殊陶業株式会社

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