特許
J-GLOBAL ID：200903095927211404
レジスト下層膜形成組成物、レジスト下層膜およびパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福沢 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108620
公開番号（公開出願番号）：特開2005-292528
出願日： 2004年04月01日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-k膜などの無機被膜にダメージを与えることがなく、かつギャップの充填性能に優れた、レジスト下層膜の熱分解工程を有するレジストプロセスに用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 レジスト下層膜形成組成物は、(A)有機ポリマーと(B)有機溶媒とを含有し、(A)有機ポリマーを300°Cで1時間加熱した際の重量減少率が5重量%以下であり、かつ(A)有機ポリマーを420°Cで1時間加熱した際の重量減少率が90重量%以上であり、(B)有機溶媒が沸点160°C以上であり、かつ(B)有機溶媒の含有率が20重量%以上であることを特徴とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)有機ポリマーと(B)有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成組成物であって、(A)有機ポリマーを不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中300°Cで1時間加熱した際の重量減少率が5重量%以下であり、かつ(A)有機ポリマーを不活性ガス雰囲気中、真空雰囲気中、還元性ガス雰囲気中または不活性ガスと還元性ガスとの混合雰囲気中420°Cで1時間加熱した際の重量減少率が90重量%以上であり、(B)有機溶媒が沸点160°C以上であり、かつ(B)有機溶媒の含有率が20重量%以上であることを特徴とする、レジスト下層膜の熱分解工程を有するレジストプロセスに用いられるレジスト下層膜形成組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/11 503
, H01L21/30 573
2H025AA00
, 2H025AB16
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025DA34
, 2H025DA40
, 5F046NA01
, 5F046NA06
, 5F046NA18
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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