偽単結晶γ’-Fe<sub>4</sub>N薄膜の変則的異方性磁気抵抗効果

TSUNODA Masakiyo; TAKAHASHI Hirokazu; KOKADO Satoshi; KOMASAKI Yosuke; SAKUMA Akimasa; TAKAHASHI Migaku

文献

J-GLOBAL ID：201002228305234153 整理番号：10A1536977

偽単結晶γ’-Fe₄N薄膜の変則的異方性磁気抵抗効果

Anomalous Anisotropic Magnetoresistance in Pseudo-Single-Crystal γ′-Fe₄N Films

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資料名：
巻： 3 号： 11 ページ： 113003.1-113003.3 発行年： 2010年11月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

4~300Kの偽単結晶γ’-Fe₄N薄膜で負異方性磁気抵抗効果(AMR)効果を観察した。50K以下で,AMR比の変化は,電流が流れる結晶の方向に依存した。AMR比の大きい段階的変化を[100]方向に沿って観察した。変則的cos(4θ)成分は,30K以下のAMR曲線に現れる。γ’-Fe₄Nの第一原理計算は,磁気モーメント方向が結晶軸に関して変わると3d軌道の電子占有が修正されることを示唆した。AMR効果の変則的な挙動は,Fermi レベルで3d-軌道状態の部分的な密度変化によるかもしれない。(翻訳著者抄録)

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その他の無機化合物の磁性

引用文献 (16件)：

JACK, K. H. Proc. R. Soc. London, Ser. A. 1951, 208, 216
KIM, T. K. Appl. Phys. Lett. 1972, 20, 492
COEY, J. M. J. Magn. Magn. Mater. 1999, 200, 405
TAKAHASHI, M. J. Magn. Magn. Mater. 2000, 208, 145
BLANCA, E. L. P. Phys. Status Solidi B. 2009, 246, 909

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偽単結晶γ’-Fe4N薄膜の変則的異方性磁気抵抗効果

偽単結晶γ’-Fe₄N薄膜の変則的異方性磁気抵抗効果