文献

J-GLOBAL ID：201702213877156544   整理番号：17A0318096

次世代EUVリソグラフィーのための低活性化エネルギーに基づくnonchemically増幅レジスト(n CARs)の設計と開発【Powered by NICT】

Design and development of low activation energy based nonchemically amplified resists (n-CARs) for next generation EUV lithography

著者 (7件)： Sharma Satinder K. (School of Computing and Electrical Engineering (SCEE), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India) ,  Pal Satyendra Prakash (School of Computing and Electrical Engineering (SCEE), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India) ,  Pal Satyendra Prakash (School of Basic Science (SBS), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India) ,  Reddy Pulikanti Guruprasad (School of Basic Science (SBS), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India) ,  Kumar Pawan (School of Computing and Electrical Engineering (SCEE), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India) ,  Ghosh Subrata (School of Basic Science (SBS), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India) ,  Gonsalves Kenneth E. (School of Basic Science (SBS), Indian Institute of Technology (IIT)-Mandi, MANDI (Himachal Pradesh), 175005, India)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 164  ページ： 115-122  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVレジストの表現は,大量生産のための主要な課題と次世代(NG)EUV技術のコスト効率の良い実現の一つである。EUVリソグラフィー(EUVL)は,プリント16nm線パターンおよびそれ以上と予測されてきた有望な技術である。EUVレジストは,電流レジストよりも非常に高い感度と分解能を持たなければならない,分離したレジストライン及び軽水型原子炉のIC技術スケーリングは~15nmと~1.5nmに設定した。は永続的であり,臨界次元(CD)上の光酸拡散と最小制御の酔歩の性質により,従来の化学増幅レジスト(CAR)の光感度と分解能を同時に満たすにコンテスト,これは最終的にそのadeptnessをフロントエンドEUVレジストであった。本研究は,適切な単量体を用いた新しい非化学増幅ネガ型レジスト(n CARs),MAPDST i PrMA[Mw=14,000g/mol]の開発を示し,放射線感受性トリフルオロメタンスルホナート官能基を有する。この新たに設計・試作したレジストのEUV感度(E_0)と最適被曝線量(E_ox)はそれぞれ11.3mJ/cm~2と26.6399mJ/cm~2であると計算した。同様に,開発したレジスト処方のEBL感度(E’0),コントラスト(γ)と反応性イオンエッチング(RIE)選択性(S)(CHF_3/O_2@35/4SCCM)は2.14μC/cm~2,0.66±0.04および1.77として計算した。種々のL/S特性と20 25 30 35 40 45と50nmのEUV露出線パターンのためのDerjaguin-Muller-Toporov(DMT)弾性率と接着は約3.2±0.16GPaと33±4nNであった。,放射線被曝中のスイッチング全極性の新しく開発したレジスト定式化と症状の有意に低い活性化エネルギー(11.3mJ/cm~2)は酸拡散,レジストパターンのぼけと20nm以下のノードのためのEUVLへの厳格な要求を満たすと予想を避けることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分解能 ,  *活性化エネルギー ,  極性 ,  化学増幅レジスト ,  *レジスト ,  コントラスト ,  臨界 ,  RIE【エッチング】 ,  大量生産 ,  露光 ,  単量体
準シソーラス用語： 官能基 ,  極端紫外線リソグラフィー ,  EUVレジスト ,  *EUVリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 極端紫外線リソグラフィー(EUVL) ,  非化学増幅レジスト(n CARs) ,  低活性化エネルギー ,  次世代リソグラフィー(NGL)

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 次世代 ,  EUVリソグラフィー ,  活性化エネルギー ,  増幅 ,  レジスト ,  CARS ,  設計 ,  開発