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J-GLOBAL ID：201702214056237358   整理番号：17A0275388

3.3kV4H-SiC PiNダイオードの電気特性とスイッチング性能に及ぼす三角形欠陥の影響【Powered by NICT】

The impact of triangular defects on electrical characteristics and switching performance of 3.3kV 4H-SiC PiN diode

著者 (7件)： Bonyadi Yeganeh (School of Engineering of University of Warwick, Coventry, United Kingdom) ,  Gammon Peter (School of Engineering of University of Warwick, Coventry, United Kingdom) ,  Bonyadi Roozbeh (School of Engineering of University of Warwick, Coventry, United Kingdom) ,  Alatise Olayiwola (School of Engineering of University of Warwick, Coventry, United Kingdom) ,  Hu Ji (School of Engineering of University of Warwick, Coventry, United Kingdom) ,  Hindmarsh Steven (School of Engineering of University of Warwick, Coventry, United Kingdom) ,  Mawby Philip (School of Engineering of University of Warwick, Coventry, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では表面形態学的欠陥,iの影響作製した4H-SiC PiNダイオードに対する三角欠陥を調べた。得られた電気特性とスイッチング性能に及ぼすそれらの影響を理解するためにダイオードを意図的に35(PiN1)及び30(PiN2)μm4H-SiCエピタキシャル層を持つウエハ上に三角形欠陥上に作製した。上に作製した3.3kV SiC PiNダイオードのスイッチング特性とオフ欠陥に及ぼす三角形欠陥の影響を初めて示し,三角形欠陥の存在は,素子の活性領域を制限し,デバイスよりもドリフト領域,ほぼ3.5×10倍漏れ電流を増加させるを通る短い沖の欠陥を生成することを証明した。欠陥から得られたTEM画像は,これらの電気的結果を検証した。,逆方向特性は,両基質はソフト絶縁破壊に悩まされていることを示した。スウィッチングの実験結果は,この三角形欠陥の存在は,デバイスに及ぼす欠陥のキャリア寿命に負の影響を与えないことを示した。これとは対照的に,蓄積された電荷量が増加することがいくつかの証拠(特に低電流値における)である。しかし,これは素子の活性領域に欠陥の比に依存する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スイッチング ,  活性部位 ,  *ダイオード ,  キャリア寿命 ,  ドリフト ,  *電気特性 ,  電荷 ,  漏れ電流 ,  *接続品質 ,  絶縁破壊 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  エピタキシャル層 ,  *4H-SiC ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： PINダイオード ,  電気特性 ,  スイッチング性能 ,  三角形 ,  欠陥