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J-GLOBAL ID：201702219099398297   整理番号：17A0214167

二次元半導体素子の第一原理シミュレーション:移動度,I-V特性および接触抵抗【Powered by NICT】

First-principles simulations of 2-D semiconductor devices: Mobility, I-V characteristics, and contact resistance

著者 (7件)： Luisier M. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Szabo A. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Stieger C. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Klinkert C. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Bruck S. (Integrated Systems Laboratory (ETH Zurich)) ,  Jain A. (Photonics Laboratory (ETH Zurich), 8092 Zurich, Switzerland) ,  Novotny L. (Photonics Laboratory (ETH Zurich), 8092 Zurich, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 5.4.1-5.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,異なるタイプの単層二次元半導体の遷移金属とIV族二カルコゲン化物2Hまたは1T相と黒りんのab initio量子輸送シミュレーションを報告した。八選択された二次元結晶の電子と正孔のフォノン制限移動度は最初の超スケール単一ゲートトランジスタのp型チャネルをもとしてこれらの材料を使用する前に分析し,電子-フォノン散乱の存在下でのそれらのI-V特性を計算し,相互にそれらを比較した。最後に,金属MoS_2接触の特性を調べた。半導体に入る,注入効率を制限する前電流は金属層の端に流れる傾向があることを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 黒リン ,  *移動度 ,  フォノン ,  *半導体 ,  *半導体素子 ,  *電流電圧特性 ,  *第一原理 ,  *接触抵抗 ,  カルコゲン化物 ,  *シミュレーション ,  正孔 ,  *二次元
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  二次元結晶 ,  輸送シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体素子 ,  第一原理 ,  シミュレーション ,  移動度 ,  I-V特性 ,  接触抵抗