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J-GLOBAL ID:201702249518794004   整理番号:17A0443975

高出力インパルスマグネトロンスパッタリングにおける小孔の内壁上の(Ti, Al)N膜成長の圧力依存性【Powered by NICT】

Pressure dependence of (Ti, Al)N film growth on inner walls of small holes in high-power impulse magnetron sputtering
著者 (6件):
資料名:
巻: 624  ページ: 189-196  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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(Ti, Al)N膜を,高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)によるTi_0 0.33Al_0 0.67合金ターゲットから1mmスケール小孔内部に析出した。三元窒化物のスパッタおよびガス種小孔構造への輸送挙動と内部側壁上に成長させた膜の化学組成と相組成に及ぼすその影響を調べるために,堆積は固定パルス長50μsの1kHzの周波数で0.5年,1年,および2Paの不活性作動ガス圧力下で行った。発光スペクトルはチタンのイオン対中性画分の圧力依存性を明らかにした,より高い作動圧力で増加を示した。Al/(Al+Ti)の最も高い割合は0.5Paで得られたが,最低値は1Paで得られた。この圧力依存性はAl,Tiおよびガス種間の質量差からみた熱化の程度を考慮して検討した。0.5Paでバリスティック輸送では,HiPIMS放電の高度なイオン化は,より大きな深さ,アスペクト比2.7の生成に膜被覆率を増強し,より高いAl比率は2mmのより大きな深さでも得られた。0.5Paで堆積した膜は(Ti, Al)Nの混合立方晶とウルツ鉱相と高Al含量を有し,小さな穴の内壁にも35GPaの硬度を示した。イオン化度と高アスペクト比形状に三元窒化物膜の成長におけるスパッタされた化学種の熱化の影響を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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その他の無機化合物の薄膜 

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