文献

J-GLOBAL ID：201702250229252885   整理番号：17A0214229

サブ5nm単分子層MoS_2FETのためのn/p型手術と界面障壁低下によるSi TMD接触の数値的研究【Powered by NICT】

A numerical study of Si-TMD contact with n/p type operation and interface barrier reduction for sub-5 nm monolayer MoS₂ FET

著者 (17件)： Tang Ying-Tsan (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Li Kai-Shin (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Li Lain-Jong (Physical Sci. and Eng., King Abdullah University of Sci. and Technology, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Li Ming-Yang (Physical Sci. and Eng., King Abdullah University of Sci. and Technology, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Lin Chang-Hsien (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Chen Yi-Ju (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Chen Chun-Chi (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Su Chuan-Jung (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Wu Bo-Wei (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Wu Cheng-San (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Chen Min-Cheng (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Shieh Jia-Min (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Yeh Wen-Kuan (National Nano Device Laboratories, National Applied Research Laboratories, Taiwan) ,  Su Po-Cheng (Dept. of Electronics Eng., National Chiao-Tung University, Taiwan) ,  Wang Tahui (Dept. of Electronics Eng., National Chiao-Tung University, Taiwan) ,  Yang Fu-Liang (Research Center for Applied Sci., Academia Sinica, Taiwan) ,  Hu Chenming (Dept. of Electrical Eng. and Computer Science, University of California, Berkeley, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 14.3.1-14.3.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)半導体材料を用いたSi接触の原子スケール数値研究を初めて第一原理シミュレーションを提案した。単層MoS_2チャネルはTMDチャネルポテンシャルを調整するためにSi S/Dをドーピングすることによりnおよびp型FETの両方として動作させることができる。二カルコゲン化物空格子点の勾配MoS_x接合は界面Schottky障壁高さ低減のための100Ωμm以下のSi MoS_2接触抵抗を可能にした。コンパクトSi MoS_2界面研究は,サブ5nm TMD FET製造技術のための単層TMD接触設計ガイドラインを提供する可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単一層 ,  *界面 ,  接触抵抗 ,  チャネル ,  半導体材料 ,  生産技術 ,  第一原理 ,  カルコゲン化物 ,  *ケイ素 ,  シミュレーション ,  *単分子層 ,  Schottky障壁高さ ,  原子スケール
準シソーラス用語： 設計指針 ,  数値研究 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  核融合装置  (BJ02083Z) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  電気化学一般  (CB07010N) ,  光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (9件)： サブ ,  単分子層 ,  手術 ,  界面 ,  障壁 ,  Si ,  TMD ,  数値 ,  研究