文献
J-GLOBAL ID:201702256355037632   整理番号:17A0362491

SiCパワーモジュールにおけるボンドワイヤのミッションプロファイルベース応力解析【Powered by NICT】

Mission-profile-based stress analysis of bond-wires in SiC power modules
著者 (4件):
資料名:
巻: 64  ページ: 419-424  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
統計と熱機械的FEM解析を用いた炭化けい素(SiC)MOSFET電力モジュールにおけるボンドワイヤに及ぼす応力のための新しいミッションプロファイルベース信頼性解析手法を提案した。提案手法では,運転と環境熱応力の両方を考慮した。アプローチは5分間の時間枠で採取した実際の1年ミッションプロファイルの操作条件の二次元統計的解析を用いた。与えられた運転条件に対応する各統計的ビンでは,接合温度変化を熱回路網により推定し,ボンドワイヤに及ぼす機械的応力は,有限要素シミュレーションにより抽出した。最終段階では,考慮したミッションプロファイルはレインフロー計数計算と寿命推定のために使用される応力配列における翻訳される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る