文献

J-GLOBAL ID：201702257615342620   整理番号：17A0495039

電子線マイクロアナライザーによるMg-Ge合金の定量-Mg Kαに対するGeの質量吸収係数の検討-

Electron microprobe analysis of Mg-Ge alloy-Examination of the mass absorption coefficient of Ge for Mg Kα-

著者 (5件)： 西尾満章 (物質・材料研究機構) ,  吉川英樹 (物質・材料研究機構) ,  田沼繁夫 (物質・材料研究機構) ,  今井基晴 (物質・材料研究機構) ,  磯田幸宏 (物質・材料研究機構)
資料名： Journal of Surface Analysis  (Journal of Surface Analysis)
巻： 23  号： 3  ページ： 149-159  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： L3852A  ISSN： 1341-1756  CODEN： JSANFX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子線マイクロアナライザーは広く材料の分析に用いられ,定量分析法はZAF法としてほぼ確立されている。しかし,Mg-Ge合金においては,定量分析の結果MgとGeの濃度の合計120wt.%と異常な値を示した。しかも電子線の加速電圧が高くなるに従ってMgの定量値が上昇する。この誤差の要因として吸収補正のパラメータの一つであるMg Kαに対するGeの既存の質量吸収係数の値の不確かさであると推定した。そこで,濃度既知のMg-Ge合金と参照物質MgOおよび金属GeのX線強度比を電子線の加速電圧15kV~30kVの範囲で測定し,その強度比変化を説明するGeのMg Kαに対する質量吸収係数として5561±200cm²/gの値を得た。この値は,広く用いられているHeinrichらの値7510cm²/gと大きく異なる。この大きな差異は,Mg KαのエネルギーがGeのL_I吸収端とL_II吸収端に近接していることから質量吸収係数の値の推定が難しいことに起因していると考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： 走査型プローブ顕微鏡 ,  電子ビーム ,  マグネシウム合金 ,  ゲルマニウム合金 ,  吸収係数 ,  *ゲルマニウム ,  *定量分析 ,  *化学組成 ,  分析 ,  画像補正 ,  X線マイクロアナライザ ,  原子散乱因子 ,  成分分析
準シソーラス用語： 組成分析 ,  吸収補正

分類 (1件)： その他の物理分析  (CC03014E)

引用文献 (20件)：

• [1]\tV.K. Zaitsev, M.I. Fedorov, I.S. Eremin, and E.A. Gurieva, Thermoelectrics Handbook: Macro to Nano, ed. D.M. Rowe, 29. pp.1-11, Boca Raton: Taylor and Francis (2006).
• [2]\t土谷康夫,電子プローブ・マイクロアナライザー,鈴木信夫,第6章,pp. 161-162,丸善株式会社(1998).
• [3]\t木内嗣郎,電子プローブ・マイクロアナライザー,飯田眞理,第6章,pp. 192-196,技術書院(2001).
• [4]\tS. Tanuma and K. Nagashima, Mikrochim. Acta, 3, 265 (1984).
• [5]\tCasino(Version2.42);\nhttp://www.gel.usherbrooke.ca/casino/What.html

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子線 ,  マイクロ ,  アナライザー ,  Mg ,  Ge合金 ,  定量 ,  Ge