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J-GLOBAL ID：201702264698936629   整理番号：17A0684025

磁性ナノ構造体に関する最近の話題 遷移金属・磁性体の反応性エッチング技術:原子層エッチングによる表面化学反応制御

Reactive Etching Technologies for Transition Metals and Magnetic Materials-Surface Reaction Control by Atomic Layer Etching-

著者 (2件)： 寒川誠二 (東北大 原子分子材料高等研究機構) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 12  号： 3  ページ： 121-125  発行年： 2017年06月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： タンタルやルテニウムなどの遷移金属や磁性体など,エッチング反応の進行しにくい物質に対し,パルス時間変調したプラズマを用いることにより負イオンを入射させることができ,反応性が向上できた。また中性粒子ビームプロセスにより,基板表面への電荷や紫外線などの照射を抑制できた。こうした結果,磁性体・遷移金属のエッチング加工が可能となり,MRAMデバイスの加工に有力な手段を提供することができた。

シソーラス用語： *遷移金属 ,  *磁性体 ,  膜 ,  中性粒子ビーム ,  MRAM ,  ナノ構造 ,  磁気構造 ,  *RIE【エッチング】 ,  層 ,  パルス変調 ,  タンタル ,  ルテニウム ,  プラズマ ,  アニオン ,  表面反応
準シソーラス用語： パルス時間変調 ,  原子層 ,  高周波プラズマ ,  磁気ナノ構造 ,  磁性膜

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

引用文献 (11件)：

• C. W. Chung and I. Chung: J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 835 (2000).
• T. Shibano and T. Oomori: J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1747 (1997).
• H.-W. Kim, B.-S. Ju, B.-Y. Nam, W.-J. Yoo, C.-J. Kang, T.-H. Ahn, J.-T. Moon, and M.-Y. Lee: J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 2151 (1999).
• H. Ohtake, S. Samukawa, H. Oikawa, and Y. Nashimoto: Jpn. J. Appl. Phys., 37, 2311 (1998).
• S. Samukawa, S. Kumagai, and T. Shiraiwa: Jpn. J. Appl. Phys., 42, L1272 (2003).

タイトルに関連する用語 (9件)： 磁性 ,  ナノ構造体 ,  話題 ,  遷移金属 ,  磁性体 ,  反応性 ,  エッチング ,  原子層エッチング ,  表面化学反応