抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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40nm厚の(Fe
0.7Co
0.3)
100-xB
x(x=5,10,15at.%)合金膜を基板温度を室温から600°Cの範囲で変化させてMgO(001)基板上に形成した。反射高速電子回折装置,X線回折装置,原子間力顕微鏡,および試料振動型磁力計による測定を行い,形成基板温度とB組成が構造と磁気特性に及ぼす影響を系統的に調べた。B組成が5at.%では200°C以上,10at.%では400°C以上,15at.%では600°Cの基板温度の条件でエピタキシャル成長することが分かった。B組成の増加,基板温度の低下によって,単結晶,多結晶,非晶質に膜構造が変化する傾向が見られた。これにより,構造は形成条件によってbcc(001)単結晶,bcc(001)結晶とbcc(122)結晶の混在結晶,多結晶,アモルファスの4種類に分類された。また,基板温度の上昇に伴って表面起伏が増加する傾向が認められた。島状の起伏が形成された膜においては,磁壁の移動が妨げられ保磁力が増加した。(著者抄録)